QQ在线咨询
电话
0755-82124410
传真
0755-82124037
添加收藏
|
中文版
|
English
|
CRM
网站首页
关于公司
产品中心
库存信息
应用方案
新闻中心
联系我们
公司简介
企业文化
荣誉资质
Amphenol
Diodes
TE
TSC
公司新闻
行业动态
最新资讯
联系方式
在线留言
招聘信息
产品中心
>
TRANSCOM
>
Hybrid ICs
>
Hybrid ICs of FET with Single-Bias
>
Parametric
>
Product No.
Freq.
P-1dB
Gain
IP3
PAE
N.F.
EVB
S
Package
Notes
(GHz)
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
(dB)
Parameters
TC3843
0.87-0.925
24
19
36
26
1.1
SMT (ceramic)
TC3843A
1.71-1.785
24
16
36
26
1.1
SMT (ceramic)
50ohm-matched Single-Bias
TC3911
6
17
13
1.5~1.8
3.5V
SOT143R (plastic)
Super low noise
TC3918
12
18
13
0.7~1.2
4.0V
Micro-X (ceramic)
Super low noise
TC3921
6
22
12
5.0V
SOT143R (plastic)
low noise FET
TC3928
12
21.5
12
0.9~1.5
Micro-X (ceramic)
low noise FET
TC3938
12
24
8
1.0~1.5
5.0V
Micro-X (ceramic)
Medium power
TC3943
5-10
27
>6
37
30
dxf_file
SMT (ceramic)
Prematched 0.5W FET
TC3947
6
27
12
37
35
Cu (ceramic)
0.5W FET
TC3957
6
30
10
40
35
Cu (ceramic)
1W FET
TC3953
5-8
30
>7
40
35
dxf_file
SMT (ceramic)
Prematched 1W FET
TC3953A
5-10
30
>5.5
40
35
dxf_file
SMT (ceramic)
Prematched 1W FET
TC3967
2.45
33
13
43
35
Cu (ceramic)
2W FET
TC3879
2.45
38.5
10.5
48.5
35
Flange (ceramic)
7W FET
TC3977
2.45
35.5
12
45
35
Cu (ceramic)
Prematched 3W FET
1|17